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低壓電容補(bǔ)償裝置一般都包含：主開(kāi)關(guān)、熔斷器、投切開(kāi)關(guān)、電容器、電抗器、控制器等，這里面主要的區(qū)別就是投切開(kāi)關(guān)及電抗器的選擇；下面先介紹幾種投切開(kāi)關(guān)，

低壓電容補(bǔ)償裝置的投切開(kāi)關(guān)一般有如下幾種：接觸器、晶閘管（也叫作電子開(kāi)關(guān)）、復(fù)合開(kāi)關(guān)、同步開(kāi)關(guān)。

隨著電力電子器件的發(fā)展和普及，人們研發(fā)出由可控硅為核心的晶閘管開(kāi)關(guān)。其原理為通過(guò)電壓、電流過(guò)零檢測(cè)控制，保證在電壓零區(qū)附近投入電容器組，從而避免了合閘涌流的產(chǎn)生，而切斷又在電流過(guò)零時(shí)完成，避免了暫態(tài)過(guò)電壓的出現(xiàn)，這就從功能上符合了電容器的過(guò)零投切的要求；

另外由于可控硅的觸發(fā)次數(shù)沒(méi)有限制，可以實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)補(bǔ)償（響應(yīng)時(shí)間在毫秒級(jí)），因此適用于電容器的頻繁投切，滿(mǎn)足了頻繁變化的負(fù)荷情況下的投切要求，相對(duì)于交流接觸器有了質(zhì)的飛躍。

STT標(biāo)準(zhǔn)型晶閘管投切開(kāi)關(guān)技術(shù)源自德國(guó)，我司在充分消化吸收德國(guó)技術(shù)和先進(jìn)制造工藝的基礎(chǔ)上，研制出了擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管，觸發(fā)電路，吸收電路，保護(hù)電路，智能型散熱片組成。自主專(zhuān)利技術(shù)保證電壓過(guò)零觸發(fā)，電流過(guò)零斷開(kāi)，真正實(shí)現(xiàn)投切無(wú)涌流，跟隨速度快，有效補(bǔ)償沖擊性負(fù)荷，平均響應(yīng)時(shí)間小于15ms，很好地取代傳統(tǒng)投切裝置，成為電容器投切專(zhuān)用開(kāi)關(guān)。