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電容器柜的熔斷器燒毀的根本原因是電容器切除時的過電壓和非精準過零電路的弧光能量形成的，用可控硅投切時，需配套快速熔斷器保護可控硅。電路設計不完善的話，熔斷器會頻頻燒壞，壞的更多。一般的補償柜，選用一般熔斷器，靈敏度低，除非嚴峻過載等故障，相對壞的少些。

希拓電氣STT標準型晶閘管投切模塊技術(shù)源自德國，我司在充分消化吸收德國技術(shù)和先進制造工藝的基礎(chǔ)上，研制出了擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管，觸發(fā)電路，吸收電路，保護電路，智能型散熱片組成。自主專利技術(shù)保證電壓過零觸發(fā)，電流過零斷開，真正實現(xiàn)投切無涌流，跟隨速度快，有效補償沖擊性負荷，平均響應時間小于15ms，很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。