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0519-85112622可控硅開關(guān)和復(fù)合開關(guān)是現(xiàn)在無功補(bǔ)償裝置主要的投切元件,兩者到底區(qū)別在哪里呢?
一、可控硅開關(guān)
可控硅開關(guān)也叫調(diào)節(jié)器,采用大功率反并聯(lián)晶閘管模塊、隔離電路、觸發(fā)電路、保護(hù)電路及散熱裝置等元件組成。容易受涌流的沖擊而損壞,因此可控硅必須過零觸發(fā),當(dāng)可控硅兩端電壓為零的瞬間發(fā)出觸發(fā)信號(hào)。過零觸發(fā)技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)無涌流投入電容器,另外由于可控硅的觸發(fā)次數(shù)沒有限制,可以實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)補(bǔ)償(響應(yīng)時(shí)間在毫秒級(jí))??煽毓鑼?dǎo)通電壓降約為1V左右,損耗很大(以每相額定電流為60A為例,則三相三控可控硅額定導(dǎo)通損耗為60×1×3=180W),必須加裝大面積的散熱片和冷卻風(fēng)機(jī)。
晶閘管對(duì)電壓變化率(dv/dt)非常敏感,遇到操作過電壓及雷擊等電壓突變的情況很容易誤導(dǎo)通而被涌流損壞,即使安裝避雷器也無濟(jì)于事,因?yàn)楸芾灼髦荒芟拗齐妷旱姆逯?,并不能降低電壓變化率??煽毓栝_關(guān)反應(yīng)速度快,重復(fù)投切時(shí)間短適用于負(fù)荷(軋機(jī)、點(diǎn)焊機(jī)、行吊等)頻繁變化的場合。
(可控硅開關(guān)圖)
二、復(fù)合開關(guān)
復(fù)合開關(guān),把磁保持和可控硅開關(guān)二者巧妙地結(jié)合來,優(yōu)勢互補(bǔ),發(fā)揮磁保持繼電器運(yùn)行功耗小和可控硅開關(guān)過零投切的優(yōu)點(diǎn),是一個(gè)較為理想的投切元件。這種投切開關(guān)不但抑制了涌流、避免了拉弧而且功耗較低,不需要加裝散熱器和冷卻風(fēng)扇。
要把二者結(jié)合起來的關(guān)鍵是相互之間的時(shí)序配合必須默契,可控硅開關(guān)負(fù)責(zé)控制電容器的投入和切除,磁保持繼電器負(fù)責(zé)保持電容器投入后的接通,當(dāng)磁保持投入后可控硅開關(guān)就立即退出運(yùn)行,這樣就避免了可控硅元件的發(fā)熱。復(fù)合開關(guān)適用于負(fù)荷變化不快的城網(wǎng)、農(nóng)網(wǎng)、房地產(chǎn)等場合。現(xiàn)已批量用于山東電網(wǎng)戶外JP柜中。
三、區(qū)別
根據(jù)以上對(duì)比可以發(fā)現(xiàn)兩者區(qū)別如下:
開關(guān)名稱 |
工作原理 |
主要優(yōu)點(diǎn) |
主要缺點(diǎn) |
可控硅 |
可控硅過零投切,可控硅運(yùn)行。 |
投切時(shí)間≤20ms,涌流小于1.5倍,無過電壓,重復(fù)投切時(shí)間≤50ms,具有過溫,缺相保護(hù)功能,適用于負(fù)荷變化比較快的場合。 |
功耗大,發(fā)熱嚴(yán)重,易損壞,產(chǎn)生諧波,價(jià)格高。 |
復(fù)合開關(guān) |
可控硅過零投切,磁保持繼電器運(yùn)行。 |
投切時(shí)間≤100ms,涌流小于2倍,無過電壓,導(dǎo)通內(nèi)阻小,無諧波,無功耗,具有缺相,缺載,過壓保護(hù)功能,價(jià)格便宜,適用于負(fù)荷變化穩(wěn)定的場合。 |
不宜頻繁投切,不宜導(dǎo)通后立即斷開。 |
(本文由全球電氣資源電氣工程師徐工原創(chuàng))