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可控硅投切和接觸器投切的區(qū)別

來(lái)源:希拓電氣(上海)有限公司    日期:2019-02-28    瀏覽量:載入中...

電容補(bǔ)償接觸器及晶閘管開(kāi)關(guān)(可控硅開(kāi)關(guān))投切特點(diǎn)比較
1、接觸器的投切特點(diǎn)
接觸器投切過(guò)程中,電容器的初始電壓為零,觸點(diǎn)閉合瞬間,絕大多數(shù)情況下電網(wǎng)電壓不為零、有事可能處在高峰值,(極少為零),因而產(chǎn)生非常的電流,也就是常說(shuō)的合閘涌流。實(shí)驗(yàn)表明合閘涌流嚴(yán)重時(shí)可達(dá)電容器額定電流的50倍。這不僅影響電容器和接觸器的使用壽命,而且對(duì)電網(wǎng)造成沖擊,影響其它設(shè)備的正常工作。因此,后來(lái)采用加入限流電阻來(lái)控制合閘涌流即:電容投切專(zhuān)用接觸器。這雖然可以控制涌流在額定電流的20倍以內(nèi),但從長(zhǎng)期運(yùn)行情況來(lái)看,其事故率仍然很高,維護(hù)費(fèi)用較高。其原因間圖1,投入波形圖見(jiàn)圖2??偟膶?shí)驗(yàn)反應(yīng),其性能是:

2、晶閘管開(kāi)關(guān)投切特點(diǎn)
晶閘管投切電容器,是利用了電子開(kāi)關(guān)反應(yīng)速度快的特點(diǎn)。采用過(guò)零出發(fā)電路,,檢測(cè)當(dāng)施加到可控硅兩端電壓為零時(shí),發(fā)出觸發(fā)信號(hào),可控硅導(dǎo)通。此時(shí)電容器的電壓與電網(wǎng)電壓相等,因此不會(huì)產(chǎn)生合閘涌流,解決了接觸器合閘涌流的問(wèn)題。器投切時(shí)波形圖如下:

三相晶閘管(可控硅)投切開(kāi)關(guān)

晶閘管投切模塊(三相)技術(shù)源自德國(guó),我司在充分消化吸收德國(guó)技術(shù)和先進(jìn)制造工藝的基礎(chǔ)上,研制出了擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新一代晶閘

管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管,觸發(fā)電路,吸收電路,保護(hù)電路,智能型散熱片組成。自主專(zhuān)利技術(shù)保證電壓過(guò)零觸發(fā),電流過(guò)零

斷開(kāi),真正實(shí)現(xiàn)投切無(wú)涌流,跟隨速度快,有效補(bǔ)償沖擊性負(fù)荷,平均響應(yīng)時(shí)間小于18ms,很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。


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